4月9日，第十一屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)在深圳會(huì)展中心順利收官。作為展示全球電子信息產(chǎn)業(yè)最新產(chǎn)品和技術(shù)的頂級(jí)平臺(tái)，中國(guó)電子信息博覽會(huì)自2013年首次舉辦以來(lái)，經(jīng)過(guò)十一載時(shí)光淬煉，一路見(jiàn)證了產(chǎn)業(yè)發(fā)展的壯闊歷程，已成為推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新的參與者與引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。

芯達(dá)茂產(chǎn)品亮相盛會(huì)

4月7日-9日，廈門芯達(dá)茂微電子攜IGBT系列、SiC系列等產(chǎn)品亮相本次盛會(huì)。芯達(dá)茂鎖定行業(yè)發(fā)展前沿，深耕國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，快速打通產(chǎn)業(yè)鏈資源，把握“芯”機(jī)遇。

芯達(dá)茂展出的IGBT系列產(chǎn)品，提供兼具高性能、高可靠度等優(yōu)勢(shì)的電機(jī)“心臟”，強(qiáng)勁助力新能源、工業(yè)、交通、智能制造領(lǐng)域發(fā)展。

產(chǎn)品采用溝槽結(jié)構(gòu)的場(chǎng)截止技術(shù)，晶圓元胞區(qū)和終端場(chǎng)板的特殊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)在大電流、大電壓的環(huán)境下始終保持卓越性能與高可靠度，從根本上打破國(guó)外大廠壟斷全面賦能第三代半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代。

電子元器件峰會(huì)演講

4月8日，芯達(dá)茂CTO、麻省理工博士蔡銘進(jìn)在2023中國(guó)電子元器件創(chuàng)新與供應(yīng)鏈安全發(fā)展峰會(huì)上，發(fā)表了關(guān)于《碳化硅功率器件的演進(jìn)、機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)》的演講。

蔡博分享總結(jié)了SiC器件，特別是SiC MOSFET的技術(shù)和產(chǎn)品的發(fā)展歷程。闡述了SiC MOSFET在中國(guó)的應(yīng)用和市場(chǎng)機(jī)會(huì)，以及國(guó)內(nèi)企業(yè)需要克服的技術(shù)挑戰(zhàn)。

SiC是一種寬帶隙化合物，具有優(yōu)異的材料特性，包括高電子遷移率、擊穿電壓、高導(dǎo)熱度和熱穩(wěn)定性等。這些特性導(dǎo)致SiC功率器件的高效率、高切換速度、耐高壓、高功率密度、小的形狀因數(shù)和簡(jiǎn)單的冷卻系統(tǒng)，使得在電動(dòng)汽車、光伏和其他產(chǎn)業(yè)應(yīng)用上極有優(yōu)勢(shì)。但它的高材料成本，及器件的可靠度技術(shù)問(wèn)題，一直限制或延遲它的廣泛應(yīng)用。

作為國(guó)內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體功率器件主流供應(yīng)商之一，芯達(dá)茂擁有深厚的、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的器件設(shè)計(jì)和工藝研發(fā)的能力，在國(guó)產(chǎn)化替代中不斷探索開(kāi)發(fā)，緊跟國(guó)際大廠的步伐，縮小差距。