SiC具有優(yōu)異的材料特性，這些特性導(dǎo)致SiC功率器件的高效率、高切換速度、耐高壓、高功率密度、小的形狀因數(shù)和簡單的冷卻系統(tǒng)。直播中蔡銘進(jìn)博士將閘述SiC MOSFET在太陽能逆變器、電動汽車主驅(qū)、充電樁等領(lǐng)域的國產(chǎn)化替代應(yīng)用和市場機(jī)會。除了說明碳化硅器件結(jié)構(gòu)的歷史演變，蔡博士也會提出主要的限制與技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來的發(fā)展方向。

8月25日15點(diǎn)

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