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芯達(dá)茂出席2023大灣區(qū)數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇
11月30日，2023大灣區(qū)數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇在深圳市南山區(qū)三諾智慧大廈隆重舉行，吸引了數(shù)字能源生態(tài)圈上下游的從業(yè)者們積極參與。論壇就目前數(shù)字能源行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)、機(jī)遇等多個(gè)主題與來(lái)自政府、企業(yè)、學(xué)術(shù)界的行業(yè)專家們進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)討論。
會(huì)上，芯達(dá)茂微電子副總經(jīng)理李邦能分享了IGBT和碳化硅功率器件在儲(chǔ)能產(chǎn)品上應(yīng)用趨勢(shì)。新能源汽車、充電樁、光伏、儲(chǔ)能，以及UPS是IGBT和碳化硅功率器件的五大主要應(yīng)用領(lǐng)域，SiC芯片價(jià)格降低、SiC器件性能優(yōu)化，以及功率模塊封裝優(yōu)化都是碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)。
IGBT自20世紀(jì)80年代末開始工業(yè)化應(yīng)用以來(lái)發(fā)展迅速，IGBT芯片由MOSFET和BJT構(gòu)成，既有MOSFET的輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn)，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費(fèi)電子領(lǐng)域。
SiC功率器件主要是替代Si功率器件，在緊湊領(lǐng)域/高功率密度/高溫領(lǐng)域(如汽車電驅(qū)/OBC)以及高能源效率要求(如光伏逆變器/充電樁)等，可以充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。
這次大會(huì)為各企業(yè)間的合作搭建了一個(gè)平臺(tái)，促進(jìn)了知識(shí)的交流和分享，大家能夠進(jìn)一步了解行業(yè)現(xiàn)在和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，為推動(dòng)行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，貢獻(xiàn)我們的智慧和力量。
bailf@xindamao.com.cn
0592-5738967
芯達(dá)茂出席2023大灣區(qū)數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇
11月30日，2023大灣區(qū)數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇在深圳市南山區(qū)三諾智慧大廈隆重舉行，吸引了數(shù)字能源生態(tài)圈上下游的從業(yè)者們積極參與。論壇就目前數(shù)字能源行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)、機(jī)遇等多個(gè)主題與來(lái)自政府、企業(yè)、學(xué)術(shù)界的行業(yè)專家們進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)討論。
會(huì)上，芯達(dá)茂微電子副總經(jīng)理李邦能分享了IGBT和碳化硅功率器件在儲(chǔ)能產(chǎn)品上應(yīng)用趨勢(shì)。新能源汽車、充電樁、光伏、儲(chǔ)能，以及UPS是IGBT和碳化硅功率器件的五大主要應(yīng)用領(lǐng)域，SiC芯片價(jià)格降低、SiC器件性能優(yōu)化，以及功率模塊封裝優(yōu)化都是碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)。
IGBT自20世紀(jì)80年代末開始工業(yè)化應(yīng)用以來(lái)發(fā)展迅速，IGBT芯片由MOSFET和BJT構(gòu)成，既有MOSFET的輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn)，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費(fèi)電子領(lǐng)域。
這次大會(huì)為各企業(yè)間的合作搭建了一個(gè)平臺(tái)，促進(jìn)了知識(shí)的交流和分享，大家能夠進(jìn)一步了解行業(yè)現(xiàn)在和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，為推動(dòng)行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，貢獻(xiàn)我們的智慧和力量。