此產(chǎn)品應(yīng)用專利：一種新型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)及其制作方法。

通過(guò)在兩P型基區(qū)間注入適當(dāng)劑量的氮離子形成超結(jié)N層，使超結(jié)N層與P型基區(qū)保持電荷平衡，形成超結(jié)結(jié)構(gòu)。

不僅沒(méi)有增加工藝上的難度，還可維持所需的耐壓水平，并且相較于傳統(tǒng) SiC MOSFET能夠有效的降低 20%的比導(dǎo)通電阻，大大縮小芯片面積，減小了生產(chǎn)成本。

碳化硅MOS在光伏、風(fēng)電、電動(dòng)汽車(chē)及軌道交通等中高功率電力系統(tǒng)應(yīng)用上具有巨大的優(yōu)勢(shì)。碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢(shì)，可以突破現(xiàn)有電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)設(shè)計(jì)上因器件性能而受到的限制，這是目前國(guó)內(nèi)外電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)領(lǐng)域研發(fā)的重點(diǎn)，使用碳化硅器件，功率驅(qū)動(dòng)模塊集成到了電機(jī)內(nèi)，能夠?qū)崿F(xiàn)了一體化和小型化目標(biāo)，預(yù)計(jì)近幾年碳化硅器件將廣泛應(yīng)用在國(guó)內(nèi)外的電動(dòng)汽車(chē)上。

目前SiC MOSFET主要是以平面柵技術(shù)為主，我司在平面柵技術(shù)上不斷迭代，開(kāi)發(fā)第二代1200V40&80mohm SiC MOSFET采用平面柵工藝結(jié)合自有專利技術(shù)使得其比導(dǎo)通電阻較上一代產(chǎn)品下降了20%，保持技術(shù)上的先進(jìn)性，峰值功率、峰值電流和可靠度，都能滿足工業(yè)和車(chē)規(guī)中的應(yīng)用要求。

高溫應(yīng)用：由于SiC MOS晶體管具有更高的熱穩(wěn)定性，可以在更高的工作溫度下運(yùn)行，因此適用于高溫環(huán)境下的應(yīng)用，如電力電子、汽車(chē)、太陽(yáng)能等領(lǐng)域。

高功率應(yīng)用：SiC MOS晶體管具有更高的耐電壓和更低的導(dǎo)通電阻，因此可以承受更高的電流和功率。因此，它們?cè)诟吖β蕬?yīng)用中表現(xiàn)出色，如電力變換器、電動(dòng)汽車(chē)和航空電子設(shè)備等。

快速開(kāi)關(guān)速度：SiC MOS晶體管具有更高的開(kāi)關(guān)速度，可以實(shí)現(xiàn)更快的切換和更高的頻率響應(yīng)。因此，它們適用于高速應(yīng)用，如通信、雷達(dá)和無(wú)線電領(lǐng)域。

小型化設(shè)計(jì)：由于SiC MOS晶體管具有更高的電子遷移率和更小的電容，因此它們可以設(shè)計(jì)成更小的尺寸，冷卻系統(tǒng)。

穩(wěn)定性：1200V超大單芯片SiC MOS 導(dǎo)通電阻可達(dá)13mohm，從而能夠減小在車(chē)用功率模塊中并聯(lián)的芯片顆數(shù)，能降低因芯片間差異產(chǎn)生的熱失控風(fēng)險(xiǎn)。

系統(tǒng)兼容性：SiC MOS晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓為15V，能夠與IGBT的驅(qū)動(dòng)電路相匹配，解決驅(qū)動(dòng)電路難以選擇的問(wèn)題。

節(jié)能環(huán)保：碳化硅MOSFET晶體管的電氣特性優(yōu)越，可以實(shí)現(xiàn)更高效的能量轉(zhuǎn)換，減少能源消耗。

長(zhǎng)壽命：碳化硅MOSFET晶體管具有更高的耐受高溫和高電壓的能力，因此其壽命比傳統(tǒng)的硅基MOSFET晶體管更長(zhǎng)。這意味著減少了電子設(shè)備的更新和報(bào)廢，降低了廢棄物的產(chǎn)生和環(huán)境污染。

無(wú)鉛環(huán)保：碳化硅MOSFET晶體管的制造過(guò)程中不需要使用鉛，避免了鉛污染對(duì)環(huán)境和人類(lèi)健康的影響。

減少碳排放：碳化硅MOSFET晶體管的高效能量轉(zhuǎn)換和長(zhǎng)壽命特性可以減少能源消耗，從而降低碳排放量，有助于應(yīng)對(duì)全球氣候變化。