? IGBT的導通與截止是由柵極電壓控制的，如圖一所示。柵極加正向電壓時，MOSFET內(nèi)形成通道，并為PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。柵極加負向電壓時，MOSFET內(nèi)通道消失，基極電流切斷，IGBT截止。

? 開態(tài)相當于水龍頭放水，IGBT持續(xù)通電流狀態(tài)；漂移區(qū)存在大量電子-電洞；漂移區(qū)電阻降低，使耐壓高的IGBT也具有低的導通電壓特性。

? 關(guān)態(tài)相當于水龍頭關(guān)閉，水龍頭需要承載一定的水壓且不能漏水；IGBT承載電壓且不能有漏電流；漂移區(qū)不存在大量電子-電洞；漂移區(qū)可以承壓。

? 開關(guān)狀態(tài)：截止到導通或者導通到截止都是瞬間完成；寄生電容充電和放電過程。

△圖一

IGBT對應不同應用會有特性上的的權(quán)衡，例如變頻器應用(電機控制)會相較電源類應用的頻率低，所以更在意導通損耗要低且要有能夠承受短路的能力，一般來說tsc>10us, 而電源類的應用則需要開關(guān)損耗低，如圖二所示。

△圖二

IGBT的應用領(lǐng)域廣泛，如圖三所示為其主要應用領(lǐng)域，標紅底的部份則是遠期較有可能被SiC取代的領(lǐng)域。

△圖三

芯達茂因應光伏逆變/儲能/充電樁/PFC的應用領(lǐng)域及電路拓璞，開發(fā)了各式相應的功率器件，可滿足各種的應用需求，如下表所示:。

△圖四